[專題演講] Thermoelectric Field-Effect Transistors Using Few-Layer MoS₂ for Measurement of Carriers’ Effective Mass in 2D Semiconductors 4/10

專題演講:Thermoelectric Field-Effect Transistors Using Few-Layer MoS₂ for Measurement of Carriers’Effective Mass in 2D Semiconductors

演講人 簡紋濱 教授(陽明交通大學 電子物理系)
地點 大智慧科技大樓 1 樓 ST114
時間 2026 年 4 月 10 日(週五)13:20 - 15:00
【演講摘要】

在半導體元件持續縮小的今天,二維材料(如二硫化鉬 MoS₂)被視為延續摩爾定律的新希望。然而,要讓這些材料發揮最強性能,科學家必須掌握載子的「有效質量」——這就像是電子在晶體中運動時感受到的「體感重量」,它直接決定了晶片運算的快慢與節能程度。

陽明交通大學簡紋濱教授團隊研發出一種新型的「熱電場效應電晶體」。這項技術巧妙地結合了「電力」與「熱能」,透過量測材料在溫差下產生的電壓變化(塞貝克效應),像秤重一樣精準地推算出電子的有效質量。

這項研究不僅克服了傳統量測上的困難,更為未來超薄型、高效能的智慧型手機晶片與節能元件,提供了重要的物理指南。